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環球晶與交大合作成立化合物半導體研究中心。（記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕看好第三代半導體材料碳化矽 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 的未來前景，矽晶圓材料廠環球晶今天與交通大學簽署備忘錄，將共同合作成立化合物半導體研究中心。
環球晶與交大透過產學合作的模式，攜手研發第三代半導體材料，包含但不限於6吋~8吋SiC與GaN的技術開發，用以支持晶體成長、提供高性能元件應用所需，以利快速建構台灣化合物半導體產業鏈。
交大代理校長陳信宏表示，交大結合校友力量，每年募款1億元，協助交大推動尖端研究，期望5至10年能有3至5領域達到世界第一的目標，進而成就「偉大大學」的願景，半導體、AI、生醫為三大重點領域。
其中，交大在半導體晶圓發展小組特別與台灣第1大、全球第3大的矽晶圓大廠環球晶圓合作。環球晶指出，SiC和 GaN是非常具有發展前景的半導體材料，在5G、電動車、太陽能發電、功率發電的應用上，是最重要的成功關鍵，台灣在這個領域必須積極擘劃快速佈局，才能與世界接軌並在全球市場佔有一席之地。
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