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聯電位於台南科學園區的公司外觀。（資料照）
〔記者張瑞楨／台中報導〕喧騰一時的記憶體大廠美商美光科技公司，於2017年向台灣檢調告發，指控台灣聯華電子公司任職的協理戎樂天，以及原本任職美光公司前整合部課長何建廷、品質工程部副理王永銘，卻被台灣聯華電子公司以3倍薪水挖角，卻在離職前涉嫌竊取記憶體（DRAM）的營業機密，帶槍投靠聯電，讓聯電與中國福建省晉華科技公司，能在短短2月研發出32奈米製程的DRAM，台中地院歷經2年餘審理，今天下午依據違反營業秘密法，判決戎樂天6年6月徒刑，併科罰金600萬元，何建廷5年6月徒刑，500萬元罰金，王永銘4年6月徒刑，400萬元罰金，聯電判處1億元罰金，可上訴二審。
台中地檢署是在2017年9月起訴上述3人與台灣聯電公司，檢方指控，何建廷與王永銘原本是中科瑞晶公司員工，從事DRAM（動態隨機存取記憶體）相關工作，2013年美商美光公司收購瑞晶，改名為台灣美光公司，並與美國的美光簽署智慧財產共享契約。
台灣聯電公司當年計畫與中國福建省晉華科技公司合作，生產32奈米製程的DRAM，以3倍高薪，挖角台灣美光公司的高階人才，其中，何建廷於2015年11月跳槽到聯電，擔任專案技術部門（簡稱PM2）擔任經理，他竟涉嫌把台灣美光公司32奈米DRAM製程技術，包括自己持有或掌握的機密文件、電子檔案，複製後帶到聯電公司南科辦公室與自己的宿舍，違反他自己與台灣美光簽署「聘僱契約」、「保密及使用著作財產權相關合約」。
王永銘則是2016年4月被挖角，檢方認定原本擔任台灣美光公司品質工程部副理的他，用自己職權、帳號及密碼，大量讀取台灣美光公司的營業秘密與著作，包括DRAM製程、技術等檔案高達931個，再提供給聯電公司。
檢方認定，在上述美光公司的營業機密與技術幫助，以及王永銘與戎樂天的研究，聯電與晉華才能在短短2個月，就順利開發出32奈米DRAM的設計規劃，省下龐大的研發時間與成本，王永銘並於2017年晉升Device經理，台灣美光公司遲至王永銘離職後，才發現技術機密被盜走，檢調搜索何、王辦公室等地，得知訊息的戎樂天，還趕緊通知兩人把相關機密刪除或藏匿，部分技術資料，由黃姓職員（緩起訴處分）藏在櫃子裡。
此案偵查與審理時，被告3人宣稱製程等資料，是個人研究之用，戎男還強調，他只有要何、王二人提供研究上的意見；聯電則辯稱，新員工都承諾不得將前雇主機密資料帶來聯電，員工也都有上智慧產財權相關法令課程，但檢方認為這只是做表面功夫，聯電公司也是此案共犯。
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