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10奈米DRAM下半年試產 南亞科資本支出追增逾7成

2020/05/07 07:50

[即時]10奈米DRAM下半年試產 南亞科資本支出追增逾7成 (記者洪友芳攝)

〔記者洪友芳/新竹報導〕DRAM廠南亞科 (2408) 董事會昨決議,今年資本支出預算由原年初通過的92億元再追加65.6億元,增幅逾7成,共計157.6億元,較去年的55億元高過百億元以上,以用來建置自主研發的10奈米製程試產線,第一代產品預計下半年試產。

南亞科從成立以來,每代製程都向國外大廠技術授權,目前量產的主力製程20奈米技術來源為美光;10奈米DRAM新型記憶體生產技術,南亞科改自主研發,第一代的10奈米產品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5,將建構在自主製程技術及產品技術平台,涵蓋消費型、低功率與標準型產品,預計今年下半年陸續進入產品試產。

因應10奈米級製程研發及試產,南亞科董事會原於2月26日通過今年度資本支出預算案,金額以不超過92億元為上限,董事會昨決議追加65.6億元上限的資本支出預算,共達157.6億元,增幅逾7成,並較去年的55億元高過百億元以上。

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