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日經:中國記憶體晶片產量 明年將佔全球5%

2019/11/20 22:46

有消息人士透露,受迫於美國的貿易制裁,中國在記憶體晶片生產方面,有望從去年幾乎為零的產量,在2020年底前達到全世界產量的5%。(資料照)

〔財經頻道/綜合報導〕按《中國製造2025》規劃,中國擬在2020年實現晶片自給率40%,而有消息人士透露,受迫於美國的貿易制裁,中國在記憶體晶片生產方面,有望從去年幾乎為零的產量,在2020年底前達到全世界產量的5%。

《日經新聞》今(20)報導,消息人士透露,中國晶片業在美國貿易制裁壓力下,正加緊記憶體晶片生產,如中國記憶體晶片廠長江存儲預計,於2016年開始建設並耗資240億美元的武漢新工廠,到明年年底的NAND Flash快閃記憶體月產量將增加3倍,達每月6萬片晶圓,約佔世界總產量的5%。

同時,長鑫儲存技術(Changxin Memory Technologies)也計畫在位於合肥的工廠中,將DRAM晶片的月產量增加4倍,達每月4萬片晶圓,佔世界DRAM產量的3%。

一位消息人士表示,目前中國都在小規模生產NAND Flash快閃記憶體和DRAM晶片,但生產品質正在提高,從現在到明年,中國的公司肯定都在擴大生產。

長江存儲拒絕評論其產量,只稱該公司已於9月開始生產64層NAND Flash快閃記憶體,並將根據公司的計畫增加產量。長鑫儲存技術拒絕發表回應。

據報導,NAND Flash快閃記憶體和DRAM晶片生產,目前均由美國、南韓和日本的製造商主導,如三星電子、SK海力士、美光和Kioxia(舊稱東芝記憶體),而兩種晶片全世界的總產量,每月約130萬片晶圓。

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