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駁斥竊取美光機密 聯電反擊:全力自我防衛

2018/11/10 15:24

聯電昨日晚間發表聲明反擊,強調聯電在DRAM技術有近15年的經驗,認為美光的訴訟是製造出來的「假象」,而聯電不要「在報刊上」進行訴訟,但也將全力並積極地自我防衛。(歐新社)

〔財經頻道/綜合報導〕美國司法部日前因美光竊密案,起訴聯電及中國福建晉華。聯電近期終於打破沉默,在昨日晚間發表聲明反擊,強調聯電在DRAM技術有近15年的經驗,而美光的爭議的技術是落後幾個世代的技術,並認為美光的訴訟是製造出來的「假象」,而聯電不要「在報刊上」進行訴訟,但也將全力並積極地自我防衛。

聯電在聲明中指出,聯華電子是國際公認、台灣起家的半導體公司。38年來,在全球的供應鏈上,已經成為不可或缺的一員,先進量產技術達14奈米。

但對比之下,美光公司爭執所涉及的DRAM技術,是32奈米,在聯華電子的計畫啟動當時,已經是落後幾個世代的技術。

聯電表示,社會上有一個錯誤的印象,認為聯華電子沒有任何DRAM的知識或經驗,這不是事實,而且是極端的不實。從1996年到2010年,聯華電子積累了近15年製造DRAM產品的經驗。甚至在某個時間點上,聯華電子內部DRAM團隊人數,超過150人。

聯電表示,聯華電子是一個有組織的企業機構,藉由堅實而穩定的團隊,掌握並保存了豐富的DRAM知識和經驗。舉個例子來說,現任聯華電子共同總經理之一的簡山傑,是1996年時開發DRAM產品的RAM 製程開發經理。另一個實例則是: Alliance公司是1996年第一個獲得聯華電子公司授權合作DRAM夥伴之一,該公司是一家總部位於美國的DRAM晶片設計公司,藉由聯華電子的技術進行DRAM製造。除了傳統的DRAM技術外,2009年聯華電子更成功開發了屬於自己的嵌入式DRAM製程技術,這比製造標準型DRAM的過程要複雜得多。

針對與福建晉華的DRAM合作案,聯電強調,聯華電子同意與晉華公司聯合開發DRAM製程,這是一個與聯華電子晶圓專工服務完全分開的單獨項目,在作成決策當時,只是一個符合所有合理商業考量的單純商業交易,已經向台灣政府正式提出申請,主管機關亦已於2016年4月核准整個項目。值得一提的是,那時還未聽說有中美貿易戰。

聯電表示,自從聯華電子開始為晉華公司開發DRAM製程技術,履行合約義務,聯華電子已經花費了數億新台幣。儘管這個專案的研發團隊成員接近300人,但只有不到10%的人曾在美光公司工作過。

聯電表示,相反於美光所提出民事和刑事訴訟製造的假象,聯華電子的DRAM技術基礎裡的元件設計,是完全不同於美光公司的設計。簡而言之,聯華電子開發的記憶胞架構是3x2佈局的儲存單元,這與美光公司的2x3佈局的儲存單元是完全不同的。

聯電表示,另一個錯誤的印象是美光公司在美國開發了25奈米的DRAM技術。事實是,美光公司在2010年初,購買了台灣的瑞晶公司和日本的爾必達公司的25奈米DRAM技術。

聯電最後也強調,聯華電子不要「在報刊上」進行這場訴訟,但聯華電子要向我們的客戶和投資人保證,聯華電子對於任何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責,將全力並積極地自我防衛。

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