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台積電（2330）與日商瑞薩電子（6723）今日共同宣佈，雙方合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體（eFlash）製程技術。（資料照，記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕台積電（2330）與日商瑞薩電子（6723）今日共同宣佈，雙方合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體（eFlash）製程技術，以生產支援新世代環保汽車與自動駕駛車的微控制器（MCU），採用此全新28奈米製程技術生產的車用MCU預計2017年提供樣品，2020年開始量產。
瑞薩與台積電從90奈米開始便密切合作開發內建快閃記憶體的MCU產品，雙方在40奈米MCU平台與生產也達4年之久，28奈米MCU的開發更擴大合作。
台積電表示，瑞薩具備高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽（MONOS）eFlash技術，結合該公司的高效能、低功耗的28奈米高介電層金屬閘製程技術，生產全球頂尖的車用MCU產品，以支援自動駕駛車的感測器控制、電子控制單元（ECU）之間的協調控制、環保汽車的高效率燃油引擎控制、電動車的高效率馬達變頻器控制等應用。
台積電進一步指出，透過雙方此項合作所開發的28奈米eFlash製程技術，MCU的程式記憶體容量最高將可比目前的40奈米技術多出四倍以上，效能也將提升超過四倍，符合新世代車用運算的需求，此全新MCU產品的其他強化特點還包括了使用多CPU核心、更先進的安全性，並且支援多種介面標準。
瑞薩執行副總裁大村隆司表示：「汽車產業正經歷重大轉變，新一代的環保汽車及自動駕駛車即將問世，而創新的半導體技術是加速新世代汽車開發的重要關鍵。相信透過與台積電針對新世代MCU的技術合作，未來將能夠提供使客戶安心的穩定供貨。瑞薩也將致力於建構MCU的生態系統，並持續扮演好領導廠商的角色，協助推動MCU產業往前邁進。」
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