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市場預期，NAND Flash今年第4季到明年第1季仍供過於求，值產業低檔時刻，中國政府積極加速推動中國本土NAND Flash與SSD供應鏈的布建，並加強透過與國際NAND Flash大廠合作的串聯契機，預期英特爾大連廠明年下半年完工後，中國NAND Flash市場將呈現百花齊放局面。（資料照，記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕市場預期，NAND Flash今年第4季到明年第1季仍供過於求，值產業低檔時刻，中國政府積極加速推動中國本土NAND Flash與SSD供應鏈的布建，並加強透過與國際NAND Flash大廠合作的串聯契機，預期英特爾大連廠明年下半年完工後，中國NAND Flash市場將呈現百花齊放局面，市況是否仍供過於求，有待觀察。
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新公布，2015年整體中國市場NAND Flash總消耗量換算產值高達66.7億美元，占全球產值29.1%，明年更可望達到全球NAND Flash產量的三分之一，成長幅度十分驚人。
看好市場需求，半導體產業龍頭英特爾昨宣布與中國大連政府配合，將原先以65奈米製程生產處理器晶片的中國大連廠，轉型為生產最新的3D-NAND Flash 晶片，總投資金額高達55億美元，預計於明年下半年開始量產。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，英特爾大連廠在2010年完工，原先規畫以12吋晶圓搭配65奈米製程來生產中央處理器為主，但經營績效不如預期，這次轉型生產最先進的3D-NAND Flash，除了可以提升大連廠的生產績效外，也可望搭上中國記憶體消耗量起飛的快速成長期，配合中國政府積極投入記憶體產業的大趨勢，可謂是雙贏的布局。
根據英特爾投資金額與大連廠的產能建置來評估，DRAMeXchange初步預估每個月至少可布建3萬到4萬片的3D-NAND Flash。英特爾在與美光共同開發3D-NAND Flash以及3D X Point等戰略合作關係更加緊密的情況下，新增的大連廠3D-NAND Flash產能將提供美光英特爾陣營更有彈性的產能規劃，來滿足高成長的固態硬碟需求。
楊文得進一步表示，NAND Flash今年第4季到明年第1季仍供過於求，值NAND Flash產業低檔時刻，中國政府仍積極加速推動中國本土NAND Flash與SSD供應鏈的布建（中國模組大廠江波龍與主控芯片廠Marvell戰略合作、武漢新芯持續加速3D-NAND Flash的開發等），並加強透過與國際NAND Flash大廠合作的串聯契機（三星西安廠3D-NAND Flash產能明年可望提升每個月10萬片的水準），預期英特爾大連廠明年下半年完工後，中國NAND Flash市場將更為百花齊放。
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