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聯電（2303）今天宣布，與全球IP矽智財授權領導廠商安謀（ARM）攜手合作，聯電14奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程生產的測試晶片已設計定案。（資料照，記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕全球晶圓代工大廠聯電（2303）今天宣布，與全球IP矽智財授權領導廠商安謀（ARM）攜手合作，聯電14奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程生產的測試晶片已設計定案（tape out），代表ARM Cortex-A系列處理器核心通過聯電高階晶圓製程驗證。
聯電14奈米FinFET製程在128mb SRAM產品已經展現卓越的良率，預計於2015年底接受客戶設計定案（tape-out）。
聯電表示，雙方延續將ARM Artisan®實體IP整合到聯電28奈米高介電金屬閘極（High K/Metal gate）量產製程之後，再到聯電14奈米FinFET製程技術驗證，這是聯電FinFET製程啟動其他IP生態系統的第一步，包括基礎IP 矽智財和ARM處理器實體設計。
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