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〔記者洪友芳／新竹報導〕記憶體大廠旺宏電子總經理盧志遠近日獲得「世界科學院」（The World Academy of Sciences, TWAS）推選為2014年「工程科學」（Engineering Sciences）獎得主，以表彰他在半導體物理與元件技術的卓越貢獻。
TWAS主要是協助發展中國家從事科學研究與開發應用，今年10月底在阿曼召開第25屆年會，並宣佈包括工程科學等9項科學研究領域共11名獲獎人名單，其中台灣共有3位獲獎人，除了盧志遠之外，還包括地球科學類的中研院特聘研究員鍾孫霖及醫學科學類的張子文二位博士。正式頒獎典禮將於2015年TWAS召開第26屆年會時舉行。
TWAS成立於1983年，成員涵蓋發展中國家的傑出科學家，目前約有1千1百名院士。每年選出農業、生物、化學、地球、工程、數學、物理、醫學及社會科學等領域研究傑出並具貢獻者，獲獎代表個人的學術成就及所屬國家持續對於發展中國家的科學支持與協助，具普世人道關懷的深刻意義。
盧志遠長期投身於科技創新及尖端研發，是位傑出科研專家，且能具體實踐應用。他於1980年代中期在美國AT&T Bell Labs領導研究計畫時，曾研發高達600V的BCDMOS IC技術，為當時業界最高伏技術；1987年曾為全球首位於IEDM發表DRAM最詭譎的可靠性問題技術論文，使業者大幅提升DRAM可靠度，並領導研發0.6微米CMOS第六代Twin-tub製程技術，部份技術理論迄今仍被廣泛引用。
盧志遠於1989年受邀回台出任工研院電子所副所長，帶領工研院團隊執行台灣最大科專計畫─次微米計畫，讓台灣具備8吋晶圓產製能力，次微米計畫後衍生成立世界先進公司，成為催化台灣記憶體產業的重要推手。
1999年，盧志遠加入旺宏電子，專注非揮發性記憶體前瞻技術研發，帶領旺宏研發團隊持續在國際重要學術會議如IEDM、ISSCC、VLSI等，發表多項次世代記憶體前瞻技術，解決快閃記憶體在尺寸微小化後面臨資料相互干擾及無法長久保存的困境，近期更推動3D垂直快閃記憶體先進技術，持續微縮至10奈米以下。
盧志遠所創辦的測試廠欣銓科技，也證實晶圓級測試為可行的商業模式，成為尖端半導體生產過程中不可或缺的一環，並獲得美國哈佛大學商學院（HBS）納為推廣教案。
浸淫半導體界超過30年，盧志遠積極鑽研電子元件及材料科技，發表超過4百多篇學術及技術論文，更擁有150餘項國際專利。
因對半導體界的貢獻良多，盧志遠獲得許多國內外獎項及榮耀肯定，包括美國電機電子學會IEEE千禧傑出獎章、潘文淵文教基金會研究傑出獎、有科技研發工程師界奧斯卡獎之稱的IEEE Frederik Philips Award及國家最高榮譽科學研究獎項總統科學獎等，更獲得美國物理學會APS Fellow、IEEE Fellow、中華民國科技管理學會院士、工研院院士、台大傑出校友、交大名譽博士等榮譽頭銜。
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