三星電子。（法新社資料照）
南韓BusinessKorea報導，三星電子去年削減設備投資2.1兆韓元（約531億台幣），主因商業環境不確定性和半導體市場不景氣，尤其去年第4季大型IT（資訊科技）客戶對記憶體晶片的需求未如預期般復甦，迫使三星修改投資計畫，包括三星在中國的NAND（儲存型快閃記憶體）西安新廠、南韓華城廠的極紫外光（EUV）專用產線、平澤記憶體新廠計畫，都延至今年才會完成啟用。產業分析師預測，三星今年在半導體設施的投資將類似於去年規模。
報導指出，三星1月財報顯示，去年設備投資總額26.9兆韓元，較3個月前宣布的投資計畫減少約2.1兆韓元。三星去年10月底公布的財報預估，2019年全年設備投資額29兆韓元，而去年前3季設備投資已達16.8兆韓元，故計畫在去年第4季投資12.2兆韓元、並將重點放在記憶體生產的基礎設備上，在半導體投資9.9兆韓元，在顯示器投資1.6兆韓元，包括引進EUV技術，以滿足中長期需求、增強晶圓廠競爭力及戰略性佈局下世代量子點技術（Quantum Dot）顯示器。但在記憶體需求復甦不如預期下，產業分析師預期，三星今年半導體設備投資規模類似去年，不太可能擴大投資逾30兆韓元。（編譯楊芙宜）