三星電子週一表示，旗下系統晶片業務部門已開始大量生產10奈米晶片，且明年初上市的電子設備將採用10奈米製程打造的晶片。（歐新社）
〔編譯王惠慧／綜合報導〕路透報導，三星電子週一表示，旗下系統晶片業務部門已開始大量生產10奈米晶片，且明年初上市的電子設備將採用10奈米製程打造的晶片。
三星電子在聲明中指出，10奈米FinFET（鰭式場效電晶體）製程採用更先進的多重閘極3D架構，在製程和設計上都有所加強，將較先前的14奈米FinFET製程，最高可提升27%性能，能源損耗也能降低約40%。
科技網站「ZDNet」指出，三星電子在聲明中提到的三重曝光（triple patterning）技術，指晶圓在裁切之前，先進行3次微影製程，以提高精準度，是電晶體線寬得以縮小的關鍵。另外，該網站也提到，三星明年初上市的電子設備，有可能是智慧型手機Galaxy S8。
三星宣稱這是業界首例，三星電子代理業務部執行副總裁Jong Shik Yoon表示，「業界首例以10奈米FinFET製程大量生產，展現了我們在技術上的領導地位」。三星表示，目前推出的10奈米製程為第一代低耗能版本的10LPE（Low Power Early），預計在明年下半年推出第二代更高性能的10LPP（Low-Power Plus）。
南韓《電子時報》日前曾報導，三星電子計畫在今年底採用10奈米製程技術，大量生產高通（Qualcomm）Snapdragon 830手機處理器，且將成為該處理器唯一的代工廠商。另外，三星也同意明年推出的新款手機，半數須使用該款處理器。