長鑫近日公佈7款新產品。（取自長鑫官網）
〔編譯魏國金／台北報導〕韓國BusinessKorea報導，直到去年底，長鑫等中國記憶體公司仍採取低價攻勢，他們專攻DDR4等舊款DRAM，以供應中低階個人電腦與智慧手機市場。然而隨著中國政府今年初開始大力推動高階DRAM研發，長鑫僅以11個月的時間，就推出效能媲美韓國產品的先進DRAM。
報導說，長鑫23日在中國國際半導體博覽會上公佈7款包括DDR5、LPDDR5X等先進DRAM產品。雖然今年初，市場出現中國公司生產的少量DDR5，但這是長鑫首次正式展示其產品。
長鑫指出，DDR5最高速率達8000Mbps，較前一代6400Mbps提升25%、最高顆粒容量24Gb，效能媲美三星與SK海力士最新款的DRAM。
報導說，評估半導體公司能力的標準包括技術路線圖、良率以及產能，長鑫最新產品至少在技術路線圖上已追上韓國的DRAM公司。一名半導體公司主管說，「該效能適合應用於最新款伺服器與尖端中央處理器（CPU）上」。
根據市場研究公司Counterpoint Research的數據，長鑫第3季市占率8%，創下紀錄，排名全球第4。長鑫預期從明年起，全面量產DDR5與LPDDR5，用於最新伺服器、個人電腦與智慧手機，長鑫DRAM產能每月27萬顆，約為三星（約64萬顆）與SK海力士（51萬顆）的42%至53%之間。
分析師指出，如果中國開始全力生產先進DRAM，將是記憶體超級繁榮週期的關鍵變因。在中國，有評估認為，長鑫新DRAM的推出將提供全球市場供應鏈一個「新選擇」。
中國半導體產業的崛起在NAND快閃記憶體領域也同樣強勁。長江存儲第3季市占率13%，排名第4，僅追排名第3的日本鎧俠（14%），其270層NAND快閃記憶體的水準與三星286層相近。
基於美國已持續5年嚴格的半導體技術與設備出口規範，中國記憶體技術的進展出乎意料。業界人士認為，這是在中國政府的大力支持下，從台灣、日本與韓國等國家挖角逾1000名記憶體專業人士，展開全面研發競賽的成果。
首爾大學材料科學與工程系主任教授黃哲成（Hwang Cheol-seong）表示，「單從記憶體技術水準來看，韓國和中國之間的差距幾乎已經消失」，他補充，「大約5年後，當無需極紫外光機（EUV）的3D DRAM時代到來時，中國將進一步超越韓國」。