初次上稿09-20 22:48 更新時間09-21 07:40
歷經18個月，三星HBM3E終於通過輝達驗證。（路透）
〔編譯魏國金／台北報導〕韓國經濟日報20日報導，知情人士透露，三星第5代12層高頻寬記憶體HBM3E產品近日終於通過輝達驗證測試。三星從完成該款記憶體的開發、歷經多次輝達性能測試失敗，到通過認證，整整耗費18個月。
報導說，這個里程碑象徵三星恢復其在半導體產業最具戰略性競爭領域，亦即人工智慧（AI）領域的技術信譽，也為驅動下一波AI硬體的晶片供應競賽，排除障礙。
三星已向超微出貨HBM3E 12層晶片，但一直未能符合輝達嚴格的性能標準。消息來源指出，如今三星雖通過驗證，但預料供貨將相對少量，因為三星是繼SK海力士、美光之後，第3家獲得認證的供應商。
一名業界人士說，「對三星而言，供貨輝達與其說是為了營收，不如說是為了自尊，獲得輝達認可意謂其技術重回軌道」。
報導說，然而真正的戰場已轉移至第6代高頻寬記憶體HBM4，預定明年在輝達新一代圖形架構Vera Rubin中首度亮相。
輝達已要求供應商將HBM4的資料傳輸速度推升至每秒10 Gbps以上，遠高於目前8 Gbps的業界標準。知情者說，三星已展示11 Gbps的傳輸速度，超越SK海力士的10 Gbps，而美光則難以達到輝達的要求。
三星計畫本月向輝達提供大量的HBM4樣品，以期盡早獲得驗證。4月間，三星曾說，正與主要AI晶片商，包括輝達、博通與Google洽談供應客製化第6代記憶體HBM4事宜。三星表示，最快可望於2026上半年開始為客戶量產HBM4晶片。
報導說，目前三星在HBM的競賽中落後SK海力士，後者是輝達HBM最先進晶片的主要供應商。為追趕SK海力士，三星去年與其代工對手台積電合作，共同開發HBM4。
分析師指出，如果新一輪HBM4晶片測試成功，將讓三星重新奪回對AI運算至關重要的記憶體領域之市占率。