美終止中國晶片廠豁免權，傳韓企啟動B計畫，而中企早有備選方案，被迫自力更生。（示意圖，法新社）
高佳菁／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕先前美國取消三星電子與SK海力士、英特爾和台積電在中國工廠使用美國半導體製造設備時的個別許可特例（VEU，Verified End User）豁免，預計在今年12月底正式生效。分析師指出，若停產發生，可能直接導致全球記憶體晶片價格上漲30%以上，將衝擊全球智慧型手機、資料中心、汽車電子等多個產業。
中媒指出，面對這一局勢，這些企業並非坐以待斃。傳出三星電子已啟動「B計劃」，包括增加採購非美國設備，以及將部分訂單轉移至韓國的平澤工廠。SK海力士的情況則更為緊迫，因其無錫工廠的DRAM產能佔全球的12%，若生產受阻恐引發客戶集體訴訟。
據報導，包括三星、SK海力士、英特爾這3家企業，在中國的生產基地對全球晶片供應鏈至關重要。其中，三星在西安經營全球最大的NAND快閃晶片生產工廠之一，SK海力士不僅收購了英特爾在大連的NAND晶片工廠，在無錫也擁有大型DRAM生產業務。
以SK海力士為例，其無錫工廠2024年對中國出口額達120億美元（約新台幣3641.9億元），佔企業全球營收的28%。因此，韓企若因許可證問題導致停產，客戶恐將訂單轉向國產儲存廠商長江儲存、長鑫儲存等本土供應商。
而在供應鏈受阻下，全球記憶體晶片市場可能重現2021年的「缺片潮」和價格暴漲局面。有分析指出，若停產發生，可能直接導致全球記憶體晶片價格上漲30%以上，將衝擊全球智慧型手機、資料中心、汽車電子等多個產業。
中媒指出，面對美國的強力壓制，中國持續提高半導體國產化，2024年中國半導體設備國產化率已從2018年的5%提升至28%，預計2025年將突破35%。
目前長江儲存的128層3D NAND快閃記憶體已通過華為、小米等客戶驗證，良率突破了90%。而長鑫儲存的19nm DRAM晶片則實現了量產，填補了國內空白。在設備領域，中微公司的5nm蝕刻機、北方華創的PVD沉積設備等核心裝備，正加速替代應用材料、泛林等美國企業的產品。
美國管制將會影響中國企業，但同時也對美國企業造成影響，包括科磊公司（KLA）、泛林集團（Lam Research）和應用材料公司（Applied Materials）等美國設備商的在華銷售將受到衝擊，這些企業將失去每年數十億美元的訂單。
中國通訊業知名觀察家項立剛指出，美方在政策上的變化，正好反映了完全自主研發的晶片供應鏈的重要性。對於中國企業來說，如果希望確保相對安全的晶片供應，只能依靠國產自製晶片。