韓媒指出，AMD即將推出的 MI350 AI 加速器將採用三星12 層 HBM3E。（法新社）
陳麗珠／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕香港券商發表報告稱，三星電子今年6月進行的第3次輝達高頻寬記憶體（HBM），即12層HBM3E認證未能通過。韓媒則披露，三星已與 AMD 達成一項重要供應協議，12 層 HBM3E 將用AMD即將推出的 MI350 AI 加速器。此舉標誌三星因屢次未獲輝達認證失利後，取得進展，有助於緩解外界對其 HBM 技術可靠性的擔憂。
根據香港券商日前發布最新報告指出，三星電子今年6月未能通過第3次輝達12層HBM3E晶片認證，這家南韓科技大廠目前預計在9月進行第4次認證，在DRAM業務想要追上南韓同業SK海力士顯得更加吃力。
儘管尚未獲輝達採用，卻傳出拿到AMD訂單。根據《朝鮮日報》，三星電子已與 AMD 達成一項重要供應協議，AMD 第五代 12 層 HBM3E 將用於其即將推出的 MI350 AI 加速器，有助於緩解外界對其 HBM 技術可靠性的擔憂。
報導指出，6 月 12 日，AMD 在加州聖荷西舉行的 Advancing AI 2025 活動上宣布，三星和美光的 12 層 HBM3E，將用於其新款 MI350X 和 MI355X AI 加速器，這也是 AMD 首次公開確認採用三星12 層 HBM3E。
報導還提及，AMD 預計明年推出的 MI400 系列，也可能採用三星的 HBM4。在同一發表會上，AMD 透露方案為每個 MI400 GPU 配備 432GB HBM4。
HBM4 被視為三星、SK 海力士和美光爭奪 AI 記憶體市場主導地位的關鍵戰場。一位業內人士表示，三星大力押注HBM4，以重奪與SK海力士和美光的競爭優勢。