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LTN經濟通》半導體生態重整 南韓二哥變一哥

2025/06/10 06:58

在2025年第一季時,SK海力士(SK hynix)超車三星電子(Samsung Electronics),首度成為全球DRAM霸主。(法新社)在2025年第一季時,SK海力士(SK hynix)超車三星電子(Samsung Electronics),首度成為全球DRAM霸主。(法新社)

SK海力士DRAM市占率36.9%

歐祥義/核稿編輯

〔財經頻道/綜合報導〕研調機構針對DRAM(動態隨機存取記憶體)供應商進行調查,分析2025年第一季各家業者表現,顯示SK海力士(SK hynix)超車三星電子(Samsung Electronics),首度成為全球DRAM市占王,在營收方面,SK海力士也力壓三星電子,首度單季排名第一名,這也不禁讓人好奇,多年來擔任南韓半導體二哥的SK海力士,是如何變身成一哥的?

集邦科技(TrendForce)指出,儘管SK海力士在2025年第一季的出貨量較上季縮減,導致營收季減約7.1%,為97.2億美元,但受惠HBM3e出貨比重提升,支撐售價與上季持平,排名因此上升,首度躍居第一名。相比之下,三星電子營收季減約19%至91億美元,跌至第二名,這主要受到HBM(高頻寬記憶體)無法再直接銷售到中國市場、HBM3e改版大幅降低高單價產品出貨量等影響。

另據市場研究公司Omdia最新數據,SK 海力士2025年第一季在全球DRAM市場市占率高達 36.9%,首次超越三星電子的 34.4%,躍居全球第一。

Omdia指出,由於 DRAM 合約價格下跌和 HBM 出貨量下降,第一季全球 DRAM 銷售額總計 263.3 億美元,較上一季減少 9%。儘管整體市場下滑,但SK 海力士的市占率從卻去年第四季的36%,上升到今年第一季的 36.9%,三星電子市占率則從同期的38.6%降至34.4%。這也是1992年三星電子成為全球最大DRAM生產商以來,首次被SK 海力士踢下首位寶座。

另外一家市場追蹤機構Counterpoint Research,也將 SK 海力士列為2025年第一季全球最大的DRAM供應商,以市占率36%壓過三星電子的34%。而早在去年第四季,三星電子的營業利益就首度低於SK海力士,結束其超過30年稱霸DRAM市場的歷史。由此可見,SK海力士已從過往南韓半導體的「二哥」變為「一哥」。

SK海力士的HBM3e出貨比重提升,已成為公司主力產品。(彭博)SK海力士的HBM3e出貨比重提升,已成為公司主力產品。(彭博)

SK海力士 有搭上AI列車

SK海力士首次取代三星電子的最大原因,要歸功於人工智慧(AI)帶動的需求。

DRAM是電腦與伺服器中處理資料最常使用的一種記憶體。HBM晶片則是將多個DRAM晶片垂直堆疊,大幅提升資料處理量,並被用於如輝達(Nvidia)圖形加速器等AI訓練硬體的核心組件。自2013年全球首次開發出HBM晶片以來,儘管當時對高效能記憶體的需求有限,SK海力士仍持續投入資金精進HBM技術,最終在AI熱潮來臨時成功搶占市場先機。

隨著生成式AI日益普及,對HBM的需求也日益成長,為了重奪市場主導權,三星計劃加快HBM晶片供應。三星電子半導體事業負責人全永鉉(Jun Young-hyun)今年3月指出,公司計劃在第2季或下半年開始擴大12層HBM3E晶片的產能,以滿足客戶需求。他還補充稱,三星正按計劃推進下一代HBM晶片(如HBM4與客製化HBM4)供應時程。

但三星電子不像SK海力士和美光科技,至今沒有拿到輝達HBM晶片的合約,外傳三星電子的HBM3E尚未獲得輝達認證,認證進度今年4月還在卡關,Google為求保險起見,可能改換美光產品遞補供應。

SK海力士是HBM3E 主要供應商,圖為輝達的GB200。(彭博)SK海力士是HBM3E 主要供應商,圖為輝達的GB200。(彭博)

三星HBM3晶片良率不到20%

儘管三星電子加快追趕腳步,SK海力士已大幅拉開雙方之間的差距。SK海力士執行長郭魯正(Kwak Noh-Jung)今年3月就透露,2025年的HBM產能已經售罄,目標是在今年6月底前,售完所有2026年HBM訂單。

分析師與業界人士指出,三星電子落後的原因之一,是堅持採用非導電性膠膜(NCF)的晶片製造技術,導致生產出現問題;海力士則改用「批量回流模制底部填充」(MR-MUF)的技術,來解決NCF的缺陷。

不過去年3月時,傳出三星電子已下單,採購用於MUF技術的晶片製造設備。消息人士當時指出:「三星採用MUF技術,有點像是放下自尊,因為終究不得不追隨SK海力士率先使用的技術。」但三星電子之後否認,表示「有關三星將在HBM製程中採用MR-MUF技術的傳聞並不屬實。」強調NCF技術是HBM產品的「最佳解決方案」。

當時根據多位分析師估計,三星的HBM3晶片良率約為10%至20%,遠低於SK海力士的60%至70%。不過三星駁斥了相關估算,並表示其已取得「穩定的良率」,但未進一步提供說明。

在HBM需求穩健支撐下,SK海力士預計將在整體DRAM市場保持領先,而傳統記憶體市場則因美國關稅與中國競爭而面臨巨大壓力。市場研究機構TrendForce預測,全球HBM市場將從2025年的380億美元成長至2026年的580億美元。Counterpoint Research也預估,在強勁AI需求支撐下,HBM市場受「關稅衝擊」影響將相對較小。

儘管三星電子加快追趕腳步,但SK海力士已大幅拉開雙方之間的差距。(彭博)儘管三星電子加快追趕腳步,但SK海力士已大幅拉開雙方之間的差距。(彭博)