台積電基於成本效益考量，1.4奈米製程將不用高數值孔徑極紫外光曝光機。（法新社資料照）
吳孟峰／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕台積電先進製程和使用半導體設備工具一直是全球先驅，並且引領潮流。現在傳出，似乎將放棄在其A14製程中使用高數值孔徑極紫外光High NA EUV曝光機，而是依賴更傳統的0.33-NA EUV技術。台積電高層稱這是基於High NA EUV製造高成本的考量。外媒指出，英特爾將在18A製程中使用High NA EUV，可能反而讓它比台積電具有「技術」優勢。
台積電業務開發資深副總裁張曉強在北美技術研討會上透露，台積電將不會使用高NA EUV曝光技術來對A14晶片進行圖案化，該晶片的生產計劃2028年開始。他稱，從2奈米到A14，不必使用高NA，但我們可以在處理步驟方面繼續保持類似的複雜性。
考量高成本效益 而非技術性表現
台積電認為高NA對於A14製程來說無關緊要的主要原因是，採用相關的曝光機工具，與傳統的EUV方法相比，成本可能會上漲2.5倍，這最終將使A14製造的生產成本更加昂貴，這意味著在消費產品中的應用將變得困難。
導致高NA推高成本的另一個原因是，台積電的A14單層晶片設計需要多個光罩，而使用最新的曝光工具只意味著推高成本而沒有帶來太多好處。相反，透過專注於0.33-NA EUV，台積電可以使用多重圖案化技術來保持相同程度的設計複雜性，而無需高NA EUV的極端精度，最終降低生產成本。但這並不意味著台積電不會在未來的製程中採用高NA EUV。
外媒wccftech報導，台積電決定放棄高NA EUV，據說英特爾將在18A製程中使用高NA，預計最早將於明年推出。由於A14P的目標是在2029年推出，因此與同行相比，台積電採用高NA的時間將至少延遲4年，這可能是一個可以讓競爭對手（如英特爾）佔到技術優勢。