SK海力士9月底開始量產HBM3E 12層晶片。（路透）
吳孟峰／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士週三（4日）表示，將於9月底開始大規模生產高頻寬記憶體HBM3E 12層晶片。SK海力士總裁兼人工智慧基礎設施部門負責人Justin Kim在台北舉行的Semicon Taiwan行業論壇上發表上述評論。
7月，SK海力士披露計劃從第4季度開始發貨下一版本的HBM晶片，即12層HBM3E，以及從2025年下半年開始發貨的HBM4。
高頻寬記憶體 （HBM） 是一種動態隨機存取記憶體 （DRAM），該標準於2013年首次製定，其中晶片垂直堆疊以節省空間並降低功耗，是能夠處理生成人工智慧 （AI） 工作的先進記憶體晶片。它也是人工智慧圖形處理單元 （GPU） 的關鍵元件，有助於處理複雜應用程式產生的大量資料。