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領先美光 SK海力士宣布成功研發238層NAND快閃記憶體

2022/08/03 08:57

SK海力士 (SK Hynix)表示已成功開發出其最先進的238層NAND快閃記憶體晶片。(資料照,彭博)SK海力士 (SK Hynix)表示已成功開發出其最先進的238層NAND快閃記憶體晶片。(資料照,彭博)

〔財經頻道/綜合報導〕SK海力士(SK Hynix)表示已成功開發出其最先進的238層NAND快閃記憶體晶片,用於PC存儲設備,以及智慧手機和伺服器。

《路透》報導,SK海力士將238層NAND快閃記憶體晶片描述為「業界最高端」。緊追在後的是其競爭對手美光(MicronTechnology),上週表示已開始出貨232層NAND晶片。

SK海力士表示,新的238層晶片是尺寸最小的NAND快閃晶片,與上一代相比,此款數據傳輸速度、功率效率提高了50%,數據讀取消耗能量減少21%。

SK海力士計劃在2023年上半年開始量產此款新晶片。