傳三星擬放慢明年記憶體增產的步伐。（彭博）
〔財經頻道／綜合報導〕韓媒報導，引用業內人士消息表示，南韓三星電子（SAMSUNG ELECTRINICS）因有鑒於全球半導體市況不佳，為避免明年記憶體供過於求，導致價格滑落，該公司擬放慢明年記憶體增產的步調。
根據《Korea Herald》報導，由於市場普遍預測記憶體需求將會減少，因此三星在上週舉行策略會議，就明年記憶體預期供過於求情況討論如何因應，會議中有討論擬調整DRAM與NAND快閃記憶體增產的步調。
據報導指出，三星擬將在明年削減DRAM位元成長率（Bit growth） 至2成以下；而NAND快閃記憶體則是調降至3成以下。
三星股價今（26）日，收在38350韓圜，跌幅1.16%。