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聯電攜手美商Avalanche 開發28奈米MRAM技術

2018/08/07 11:38

晶圓代工大廠聯電與美商ST-MRAM廠商Avalanche共同宣布,兩家公司將成為合作伙伴。(資料照)

〔財經頻道/綜合報導〕晶圓代工大廠聯電與美商ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者Avalanche共同宣布,將攜手合作技術開發磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)及相關28奈米產品。

綜合媒體報導,聯電與Avalanche合作協議,將聯電28 奈米CMOS製程上提供嵌入式非揮發性MRAM區塊,提供給客戶超高效能及低功率的嵌入式MRAM記憶體模組,並將其模組整合至相關應用產品上。

另外,2家公司也計畫將其合作範疇擴展至28奈米以下的製程技術,利用Avalanche在CMOS技術的相容及可擴充等特性,運用至各個先進製程中,讓系統設計者能在同樣的架構與連帶的軟體系統上,可直接作修改省去重新設計的時間。