傳出三星電子將大幅增產DRAM。（彭博）
〔即時新聞／綜合報導〕日前摩根士丹利報告指出，本波NAND Flash供不應求可能在明年第1季觸頂，如今又傳出三星電子將大幅增產DRAM，恐造成供應過剩，對記憶體價格造成衝擊。
韓媒《etnews》報導，三星將在南韓平澤（Pyeongtaek）廠區的半導體廠是兩層樓建築，二樓無塵室將近完工，並開始訂購3D NAND flash設備，產能預估為每月1萬組。半導體廠一樓與二樓分別可生產10萬、20萬組晶片，二樓又分為東、西翼，東翼預定生產7萬組3D NAND flash和3萬組DRAM、西翼預定生產10萬組DRAM。
報導指出，雖然三星擴產意味著樂觀看待未來需求，但外界擔心供過於求，特別是DRAM的部分。報導表示，如果三星加快投資腳步，決定使用二樓大部分產能生產DRAM，記憶體價格的上漲趨勢可能轉化為下跌趨勢。此外，三星西安廠也可能會增產，預估於2018年底或2019年啟動。