三星將投資156億美元興建DRAM新廠，恐為後年市場投下變數。（法新社）
〔記者洪友芳／新竹報導〕南韓記憶體大廠SK海力士（Hynix）上修南韓利川新廠投資額到2.1兆韓元（約20億美元），較原來1.8兆韓元增加約17%，南韓三星日前也宣布投資15.6兆韓元（約156億美元）建新廠，兩家大廠相繼增加投資擴產，恐為後年DRAM市場投下變數。
不過，海力士增加投資額相對三星則少之又少，且強調明年將重視獲利，不搶市佔率，這與三星日前所言，明年市況雖還待觀察，但可以確定將不會出現價格正面對決情形，顯示明年的DRAM市況將持續是供需穩定的獲利年。
業界指出，三星在DRAM市佔率高達近4成、SK海力則約佔27%，居前二大地位，SK海力士的利川新廠M14明年落成，目前的M10廠將轉生產 NAND型快閃記憶體，上修的投資額集中微縮2X奈米的DRAM、16奈米NAND快閃記憶體，看起來對市場影響有限。
三星興建中的Line17廠預計明年下半年產出DRAM，至於日前宣布的新廠投資計畫，將於明年初動工，最快約2017上半年正式投產。
記憶體模組大廠威剛（3260）認為，以設備裝機、量產所需時間推估，DRAM新增產能會較大量產出至少要明年下半年，預期三星從考量集團整體獲利來看，擴增DRAM新產能的幅度應相對有限，投資一座12吋廠金額高達30到40億美元，三星規劃新廠應僅會先蓋建築物，設備投資恐視全球景氣及市況而定，貿然一次投資機率低，預期未來2年內市場供給將不致出現重大改變。
不過，國際研究暨顧問機構Gartner卻不樂觀，隨著大廠新產能紛投產後，2016年市況將再度出現供過於求。