晴時多雲

三星、海力士拚擴產 後市添變數

2014/10/24 06:00

三星將投資156億美元興建DRAM新廠,恐為後年市場投下變數。(法新社)

〔記者洪友芳/新竹報導〕南韓記憶體大廠SK海力士(Hynix)上修南韓利川新廠投資額到2.1兆韓元(約20億美元),較原來1.8兆韓元增加約17%,南韓三星日前也宣布投資15.6兆韓元(約156億美元)建新廠,兩家大廠相繼增加投資擴產,恐為後年DRAM市場投下變數。

不過,海力士增加投資額相對三星則少之又少,且強調明年將重視獲利,不搶市佔率,這與三星日前所言,明年市況雖還待觀察,但可以確定將不會出現價格正面對決情形,顯示明年的DRAM市況將持續是供需穩定的獲利年。

業界指出,三星在DRAM市佔率高達近4成、SK海力則約佔27%,居前二大地位,SK海力士的利川新廠M14明年落成,目前的M10廠將轉生產 NAND型快閃記憶體,上修的投資額集中微縮2X奈米的DRAM、16奈米NAND快閃記憶體,看起來對市場影響有限。

三星興建中的Line17廠預計明年下半年產出DRAM,至於日前宣布的新廠投資計畫,將於明年初動工,最快約2017上半年正式投產。

記憶體模組大廠威剛(3260)認為,以設備裝機、量產所需時間推估,DRAM新增產能會較大量產出至少要明年下半年,預期三星從考量集團整體獲利來看,擴增DRAM新產能的幅度應相對有限,投資一座12吋廠金額高達30到40億美元,三星規劃新廠應僅會先蓋建築物,設備投資恐視全球景氣及市況而定,貿然一次投資機率低,預期未來2年內市場供給將不致出現重大改變。

不過,國際研究暨顧問機構Gartner卻不樂觀,隨著大廠新產能紛投產後,2016年市況將再度出現供過於求。

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