AI資料中心帶動InP磊晶片放量 IET-KY德州新廠明年量產

2026/05/07 15:52

IET-KY董事長高永中看AI資料中心帶動InP磊晶片放量,德州新廠明年量產。(業者提供)IET-KY董事長高永中看AI資料中心帶動InP磊晶片放量,德州新廠明年量產。(業者提供)

〔記者張慧雯/台北報導〕IET-KY(4971)7日受邀舉行法說會,董事長高永中表示,AI資料中心帶動InP磊晶片放量,不受基板缺貨影響,今年營收年成長目標依舊上看兩成至四成,此外,美國聯邦晶片法案補助簽約即將完成,德州晶片法案補助則依進度請款中,德州新廠二期擴建亦持續推進,將為中長期產能擴充奠定基礎。

IET-KY今年首季營收3.32億元、營業毛利1.59億元、毛利率47.84%、稅後淨利0.79億元,每股稅後盈餘(EPS)1.97元。公司分析,第一季營收與去年第四季相近,主力產品仍為應用於AI資料中心高速光通訊的磷化銦(InP)光接收器 (PD)磊晶片,受惠量產訂單占比維持高檔,帶動產品組合優化,使毛利率維持在相對高水準。

高永中指出,AI資料中心高速傳輸需求持續升溫,帶動光通訊大廠對InP PD磊晶片需求增加,相關量產訂單已陸續到位,產能也已準備充分,惟目前全球InP基板供應仍偏緊,成為限制營收進一步放大的主要瓶頸,目前採取自備InP基板與客戶提供基板並行模式,由IET-KY負責磊晶生產,同時客戶也已逐步接受不同基板廠商認證,公司將持續與主要供應商及客戶合作,爭取更多基板貨源,以支撐後續AI光通訊訂單出貨。

在砷化鎵(GaAs)產品方面,因應原物料價格上漲,IET-KY已完成與主要大廠的售價調整談判,並陸續取得今年pHEMT量產訂單,目前營運重點放在確保品質穩定與提升生產效率;另在AI資料中心光通訊發射端應用方面,QD laser將是今年主要研發項目之一,未來有機會搭配高速光傳輸升級趨勢,拓展GaAs產品線應用空間。

銻化鎵(GaSb)產品則受惠國防紅外線感測需求維持強勁,因應半導體關鍵物料短缺,IET-KY指出,已提前備足銻與鎵等關鍵金屬原料,目前各國防大廠訂單滿載,產品集中於高單價、高規格紅外線磊晶片及新產品認證,將以準時交貨、提高高附加價值產品出貨比重為目標,持續強化GaSb利基型產品線對營收與毛利率的支撐。

至於硬體構件方面,去年簽下的MBE機台訂單已完成階段性功能驗收,目前正交運至台灣研究機構途中,IETKY表示,2026年還有新的機台租用或購買合約洽談中,第二季可望簽定合約,惟MBE機台與硬體構件屬專案型收入,後續營收貢獻仍須視合約簽訂、出貨及驗收時程而定。

展望後市,高永中表示,美國聯邦晶片法案補助簽約即將完成,德州晶片法案補助則依進度請款中,德州新廠二期擴建亦持續推進,將為中長期產能擴充奠定基礎,同時,IET-KY與光聖的換股案也依排程進行,未來可望透過上游磊晶材料與中下游光通訊元件、模組業者合作,深化AI資料中心、矽光子與CPO等高速光通訊應用布局,而AI資料中心帶動InP光接收磊晶片需求放量,仍是今年營運最重要成長主軸,若InP基板供應逐步舒緩,將有助於訂單轉化為實際出貨與營收成長。

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