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華邦電表示，DRAM缺口大，今年獲利動能續向上。（資料照）
〔記者洪友芳／新竹報導〕記憶體廠華邦電（2344）今召開法說會，總經理陳沛銘指出，AI 應用持續帶動前所未有的記憶體需求，DRAM缺貨將持續，尤其DDR4供應缺口大到「不曉得怎麼來補起來」，預期2026年公司獲利動能持續向上，他並對2027年展望樂觀。華邦電積極進行產能擴充，董事會今核准追加資本預算24億元，預計台中廠擴充NOR/NAND快閃記憶體產能，月增1萬片，第三季投片與產出。
陳沛銘表示，華邦電在NOR Flash領域，維持全球第一，NAND Flash專注SLC NAND快閃記憶體，主要用於儲存Code，隨著同業退出市場，華邦電以46、32及最新24奈米技術擴大市佔，目標將成為全球第一。
因應市況與產能供不應求，陳沛銘說，公司正進行產能擴充，董事會今已核准台中廠擴充 NOR/NAND產能的資本支出，繼去年8月通過的46億元資本支出之後，再追加24億元，總計約70億用於擴產。預計5月裝機，7月投片、9月產出，整體產能會看市況需求彈性調整，估計可月增1萬片產能，全年位元年增約30%到40%。
就DRAM業務與產能規劃，陳沛銘表示，華邦電去年DRAM業務年對年成長35%，其中 DDR4主要由20奈米製程供應，25奈米S與20奈米製程合計佔比達64%，完全來自高雄廠貢獻。為擴充NOR/NAND產能，台中廠部分DRAM產能已移至高雄廠。預期今年DRAM 業績將逐季向上，市場價格持續上漲。
陳沛銘指出，華邦電高雄廠擴產效益預計2027年大量產出；第一批高階機器預計5至6月裝機，以擴充16奈米產能，重點產品含8Gb/16Gb DDR4 與8Gb LPDDR4，預計可支撐未來數年高密度產品線。後續將努力推升16奈米製程良率，希望朝90%以上邁進。高雄廠也將生產CUBE產品，預計2026年先有部分產出，2027年會有顯著成果。
他認為，因大廠集中資源生產高階AI DRAM包括HBM、DDR5，導致DDR4及以下DRAM 供應不足，缺貨預期長期持續。DDR3/DDR4價格將平穩上調，第一季DRAM價格漲幅與上一季相當，DDR4及以下目前供應缺口巨大，「不曉得怎麼來補起來」，儘管華邦正在擴產，仍預期缺口將持續一段長時間，SLC NAND快閃記憶體因缺口更大，漲幅甚至超過DRAM。
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