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記憶體廠南亞科 （2408）受到銷售量下降，第三季每股稅後虧損由上季0.26元增為0.48，圖總經理李培瑛。
（資料照）
〔記者洪友芳／新竹報導〕記憶體廠南亞科 （2408）受到銷售量下降、停電損失等因素影響，第三季稅後虧損擴大為14.87億元，每股稅後虧損由上季0.26元增為0.48元，連續8季虧損，今年前3季每股稅後虧損1.13元；南亞科並宣布調降今年資本支出為200億元，下修幅度23%，但總經理李培瑛指出，公司10奈米級第二代製程 （1B） 技術8Gb DDR4、16Gb DDR5產品將如期量產，第四季底目標達15%以上投片產能。
李培瑛也表示，除了AI需求熱，其他乏善可陳，終端消費需求不如預期，主要來自地區不景氣、戰爭影響，目前手機銷售漸改善，高階產品有機會增加記憶體搭載量。原本預期三大記憶體將產能轉向高頻寬記憶體（HBM），將有助DDR3、DDR4 的利基型記憶體庫存消化，但看三大廠相對庫存，有一家庫存量特別多，已消化一段時間，但庫存消化將比預期長。
南亞科今舉行線上法說會並公布第三季財報，指出DRAM平均售價季增中個位數百分比，銷售量季減二成，致使營收為81.33億元，季減18%；停電損失提列新台幣4.75億元，衝擊毛利率3.2%，僅較上季改善0.3個百分點；稅後淨損14.87億元，每股稅後虧損0.48元 ，為近三季新高，也連續8季出現虧損。
南亞科表示，八月中旬因台電高壓系統被雷電擊，影響跳電與壓降，有部分機台生產暫停，影響財報提列損失。
南亞科並宣布，2024年資本支出由原先的新台幣260億調降至約新台幣200億，主因為設備交期與付款時程調整。公司10奈米級第二代製程 （1B） 技術 8Gb DDR4 與 16Gb DDR5 產品如期量產，目標第四季底達15%以上投片產能。明年計畫陸續推出1B製程LPDDR4和LPDDR5產品。10奈米級第三代 （1C） 製程產品開發依進度進行。
李培瑛說明，南亞科第三季虧損擴大，除了銷售量下滑，主要因素包括提列停電損失、匯率、所得稅、研發費用等增加6億元多， 扣除研發費用等，距離損益兩平還有距離。他也期許，南科針對市況需求好的AI市場還樣要努力 ，才能貢獻營運，DDR5價格較高，初期良率待爬升，預期到明年第一季中或季底，有機會效益可超過DDR4 。
李培瑛並表示，邊緣AI處起步階段，初期做標準型產品，接著是客製化產品，預期要達至少二年半到三年才能看到市場影響性。
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