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中國傾力發展化合物半導體 漢磊董座:各憑本事競爭

2021/11/16 08:41

中國傾力發展化合物半導體,漢磊董座:各憑本事競爭(記者洪友芳攝)

〔記者洪友芳/新竹報導〕中國傾國家之力,發展化合物半導體,恐像面板、太陽能產業一般,將對台廠化合物半導體廠帶來威脅,漢民集團旗下的漢磊 (3707)董事長徐建華昨指出,這確實是必須正視的問題,但因化合物半導體是正在成長的產業,基期又低,各憑本事競爭,他感到樂觀,漢磊將技術與擴充產能等基礎做好,還是有一定的競爭力。

漢磊昨開法說會,法人關切中國大力扶植化合物半導體,對漢磊如何因應未來的競爭與威脅?徐建華表上,中國的威脅確實是需要去正視的問題,特別是化合物半導體,中國有國家政府的支持,但因化合物半導體是正在成長中的產業,市場相當大,基期又低,各憑本事競爭,他持樂觀看待。

漢磊目前客戶有不少來自中國,徐建華表示,漢磊不會把中國當唯一的主要市場,也有跟日本等國外IDM廠合作,漢磊在化合物半導體已耕耘很長的時間,產品不完全是車載相關的,過程一些驗證與轉換都需要時間,和磊持續將技術、良率做好,盡快把產能擴充完成,滿足客戶需求,面對中國的競爭與威脅,他相信漢磊還是有一定的競爭力。他說,漢磊在台灣不排除尋求策略合作的機會。

中國近期提出的「十四五 (第 14 個五年) 規劃」,預計以人民幣10兆元資金,發展化合物半導體產業,自稱第三代半導體,因中國認為自家在第一、二代半導體技術落後,希望化合物半導體能像5G技術一般,在半導體領域彎道超車。

漢磊預計2到3年內,擴增化合物半導體碳化矽(SiC)為主的產能約5-7倍,明年SiC月產能增2倍,營收至少年增2成;旗下嘉晶預計2到3年內SiC產能擴增7-8倍,氮化鎵(GaN)產能約增加2-2.5倍。

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