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攜手韓廠！IET-KY拓展氮化鎵全球業務，圖為IET-KY總經理高永中。（記者張慧雯攝）
〔記者張慧雯／台北報導〕IET-KY（4971）宣布與韓國IVWorks公司合作，共同開發以MBE分子束磊晶技術生產氮化鎵（GaN）磊晶片；總經理高永中表示，兩家公司自2018年起在GaN材料和磊晶技術方面即有密切合作，技術和行銷聯盟的框架於2019年形成。希望透過這次的合作案，聯手開發MBE製造的GaN磊晶產品全球業務，應用於RF（射頻）和電力器件市場。
高永中解釋，此次合作是結合IVWorks的先進MBE GaN長晶和AI技術，以及IET-KY大規模MBE磊晶生產和硬體設備自主經驗與能力，共同開發MBE製造的GaN磊晶產品全球業務，應用於RF和電力器件市場。
韓商IVWorks是運用混合式MBE技術（Hybrid-MBE），生產高質量的GaN磊晶片。所謂混合式MBE磊晶就是利用氨和電漿搭配的氮源進行磊晶，以最佳化質量和生長速率，目前使用三組MBE系統來生產100mm至200mm的GaN磊晶片。
至於IET-KY則是運用擁有多項美國專利的即時生產監控系統，以分子束磊晶片生產機台（MBE） 成長磊晶片於砷化鎵ヽ磷化銦ヽ銻化鎵基板，產品應用於電子及光電產業；高永中表示，利用公司在MBE的量產經驗模式，以及硬體設備自主改造升級的實力，可迅速將GaN磊晶片導入與IVWorks合作的產品組合。
法人表示，5G、物聯網時代興起，由於氮化鎵（GaN）具有高頻的優勢，將會是接下來被大量使用的新一代半導體材料；這次與韓廠的合作，將有助IET-KY提早掌握GaN先機，擴大全球半導體市場布局。
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