晴時多雲

迎接5G 工研院研發出領先國際的新世代記憶體

2019/11/26 21:52

工研院今展示領先國際的自旋(SOT)磁性記憶體(MRAM)技術,讀寫速度可達奈秒(nano second)等級,已吸引多家國內外半導體大廠合作開發或技術移轉。(記者洪友芳攝)

〔記者洪友芳/新竹報導〕全球搶攻AI商機,晶片是AI最關鍵的大腦,成軍近5個月的台灣人工智慧晶片聯盟(AITA,諧音愛台聯盟)今天進一步成立四大關鍵技術委員會,工研院在會中展示領先國際的自旋(SOT)磁性記憶體(MRAM)技術,讀寫速度可達奈秒(nano second)等級,並已吸引多家國內外半導體大廠合作開發或技術移轉。

工研院電光所指出,物聯網將實體世界的資訊數位化,從手機等手持式裝置到路邊的汽車、工廠的生產設備,每分每秒都在生成數據,因此需要可快速讀寫、低耗電、斷電也不會遺失資料的記憶體。MRAM(磁阻式隨機存取記憶體),具備以上優點,非常適合物聯網及5G時代的應用,因此產業看好MRAM是新世代記憶體的新星,包括台積電、三星、格羅方德、IBM都已投入MRAM的開發。

工研院電光所表示,MRAM的讀寫速度可達奈秒(nano second)等級,比大家所熟知的Flash(快閃記憶體),速度快上百倍、甚至千倍。此外,MRAM的低電壓操作特性,容易與先進製程整合,非常適合用在現在高階處理器中,MRAM有機會取代微控制器內部的嵌入式記憶體包括DRAM、SRAM、Flash,成為嵌入式記憶體界的共主。

工研院早在2002年就投入MRAM相關開發,建立磁性半導體元件研發團隊,電光所所長吳志毅表示,目前團隊約累積上百件專利,國內外合作或技術移轉廠商約3、4家。

目前工研院團隊新研發自旋(SOT)MRAM為第三代技術,讓寫入資料時的電流不會經過絕緣層,少了主要的耗損因素,可靠度因此大幅提高,性能更省電與壽命更久,第一、第二代已有合作廠商導入量產。

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