〔記者洪友芳／新竹報導〕工研院與強茂今（28）日簽約，雙方攜手共同建立IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣閘雙極電晶體）智慧功率模組開發，預計明年第1季設立試量產線，並打入電動摩托車領域，強茂期望提供客戶IGBT整體解決方案，逐步拉近與歐美國際大廠的技術距離。
隨著各大車廠紛投入電動車市場，關鍵電能轉換效率的IGBT功率半導體倍受重視。工研院副院長張培仁表示，電動車動力系統以電氣化驅動，帶動每輛汽車的功率半導體元件大增，尤其IGBT具有高頻率、高電壓、大電流，易開關等優良性能，被業界譽為功率變流裝置的「CPU」。
張培仁指出，國內過去缺乏IGBT模組自主的技術能量，讓相關廠商往往只能尋求與國際模組大廠合作，才能切入電動車市場。工研院成功開發IGBT智慧功率模組，可應用於變頻家電壓縮機、工業馬達及電動載具馬達驅動。
工研院與強茂將藉由此次的合作，建立自主IGBT模組設計、封裝、測試等技術能力，並將朝向大功率電力電子應用模組產品持續邁進，希望藉此並可建立台灣IGBT功率模組自主技術能量，同時擴展台灣產業市場。