晴時多雲

工研院與強茂合作 建立IGBT功率模組自主技術

2018/06/28 17:28

〔記者洪友芳/新竹報導〕工研院與強茂今(28)日簽約,雙方攜手共同建立IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣閘雙極電晶體)智慧功率模組開發,預計明年第1季設立試量產線,並打入電動摩托車領域,強茂期望提供客戶IGBT整體解決方案,逐步拉近與歐美國際大廠的技術距離。

隨著各大車廠紛投入電動車市場,關鍵電能轉換效率的IGBT功率半導體倍受重視。工研院副院長張培仁表示,電動車動力系統以電氣化驅動,帶動每輛汽車的功率半導體元件大增,尤其IGBT具有高頻率、高電壓、大電流,易開關等優良性能,被業界譽為功率變流裝置的「CPU」。

張培仁指出,國內過去缺乏IGBT模組自主的技術能量,讓相關廠商往往只能尋求與國際模組大廠合作,才能切入電動車市場。工研院成功開發IGBT智慧功率模組,可應用於變頻家電壓縮機、工業馬達及電動載具馬達驅動。

工研院與強茂將藉由此次的合作,建立自主IGBT模組設計、封裝、測試等技術能力,並將朝向大功率電力電子應用模組產品持續邁進,希望藉此並可建立台灣IGBT功率模組自主技術能量,同時擴展台灣產業市場。

一手掌握經濟脈動 點我訂閱自由財經Youtube頻道

不用抽 不用搶 現在用APP看新聞 保證天天中獎  點我下載APP  按我看活動辦法

已經加好友了,謝謝
歡迎加入【自由財經】
按個讚 心情好
已經按讚了,謝謝。

相關新聞

看更多!請加入自由財經粉絲團
今日熱門新聞
網友回應