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碳化矽（SiC, Silicon Carbide）是比較新的半導體材料，由矽與碳構成的化合物半導體，結合力非常強，可達到600V到數千V的高耐壓，是一種更能實現小型化、低功耗與高效率目標的功率半導體元件。拓墣產業研究院指出，比起目前主流的矽晶圓，SiC半導體除耐高電壓的特色，也具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，同時有低導通電阻及低切換損失的特性，能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失，對電動車等續航力的提升有相當的幫助。（記者洪友芳）
漢磊斥資3.4億元新建置6吋SiC生產線，為台灣第一家率先擴增SiC產能的代工廠。（記者洪友芳攝）
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